Электронная дифракция
Раньше было необходимо в дифракционной камере использовать цилиндр Фарадея, чтобы обнаружить и измерить интенсивность рассеянных электронов. Это утомительная процедура. Гер-мер, Скейбнер и Хартман (1960 г.) показали, что с помощью ускорения электронов на флюоресцирующем экране можно получить удовлетворительную дифракционную картину.
Это не так утомительно и обеспечивает объективные и непосредственные методы изучения поверхностных структур.
Этот метод достаточно чувствителен, чтобы обнаружить присутствие и порядок единичных атомных слоев адсорбированного газа. Большие возможности для детального изучения поверхностных структур открывает зонный эмиссионный микроскоп (по Мюллеру, 1956 г.) и его более поздние модификации.
В этом приборе образцом (Гомер, 1955 г.) является очень острая металлическая игла с гладким закругленным концом радиуса Ю-4-10-5 см, состоящая из единичного кристалла.
Наконечник устанавливается в центре стеклянного шара, из которого откачан воздух.
Внутренняя поверхность шара покрыта флюоресцирующим материалом. Наконечник является катодом, а круглый ободок на некотором расстоянии от него — анодом.
При потенциале в несколько тысяч вольт вокругнаконечника развивается оченьсильноеэлектрическое поле, вырывающее электроны из металла посредством зонной электронной эмиссии. Затем электроны движутся по радиальным силовым линиями к флюоресцирующему экрану и создают «план» электронной эмиссии наконечника.
Увеличение микроскопа равно отношению расстояния экрана от наконечника к радиусу наконечника и достигает порядка 105- 10е. Интенсивность электронной эмиссии быстро увеличивается с увеличением силового поля и уменьшением работы выхода, т. е. энергии, необходимой для вырывания электрона из металла.
При полусферическом наконечнике микроснимок отражает распределение энергии выхода на различных кристаллических поверхностях, использованных в качестве наконечника.
