Отношение к гидролизу
При переходе к р-элементам, содержащим большее число р-электронов, например, к фосфору, сере и т. п., усиливается вероятность образования ковалентных связей Р-Р и С-С, S-S и С-С наряду со стремлением к организации конфигураций связи типа s2p6 между атомами элементов и углерода. При этом образуются довольно устойчивые и химически прочные при обычных условиях соединения, например Р2С6, не разлагающийся кислотами и щелочами. Но уже при сравнительно небольших термических возбуждениях эти соединения становятся неустойчивыми вследствие развала молекулы на сильно связанные ковалентно группы Хх (X — элемент) и Су, которые, однако, в изолированном состоянии оказываются неустойчивыми и могут диспропорционировать дальше. При дальнейшем переходе от комбинаций 2р — и 3р-элементов с углеродом к элементам с более высоким энергетическим положением р-электронов (4р, 5р, 6р) вероятность образования гибридных конфигураций, приближающихся или стремящихся приблизиться к s2p6, резко уменьшается, и карбиды этих элементов, если и образуются, то становятся все менее прочными с повышением энергетического уровня их р-электронов. Так, уже карбид галлия, если считать сведения о нем достоверными, обнаруживается в равновесии только в парах — с графитом и парами галлия в форме образований состава Ga2C2 (по-видимому, за счет возбуждения 2р-электронов углерода на более высокие уровни и уменьшения разницы между энергетическим состоянием р-электронов углерода и галлия при сильном нагреве).
Как и следовало ожидать, этот карбид, судя по энергии связи Ga-С2, близкой к Ga-О, имеет преимущественно ионный характер с большим энергетическим разрывом за счет причин, изложенных выше на примере углеродистых соединений алюминия, серы, фосфора и т. п., и химически непрочен (теплота образования — всего 6 ккалмоль). Таким образом, собственно ковалентных карбидов немного, практически только В4С и SiC, как и принимается в классификации, а для остальных р-элементов характерно образование ковалентно-ионных соединений с углеродом, характеризующихся резкой асимметрией распределения электронной плотности в решетке.
