Совершенство кристаллов
Оценкой чистоты и совершенства кристаллов может служить изменение удельного сопротивления при охлаждении до температуры жидкого гелия, когда сказывается лишь остаточное сопротивление, определяемое примесями и дефектами. Монокристаллы, полученные из материалов технической чистоты, имели отношение сопротивлений порядка нескольких сотен (для сравнения укажем, что для чистой электротехнической меди). Монокристаллы, выращенные из исходных материалов повышенной чистоты, предоставленных Институтом физики металлов, имели отношение сопротивлений к для вольфрама порядка 10 000, для молибдена — порядка 3000 (для наиболее чистых и совершенных металлических кристаллов, полученных в настоящее время, — кристаллов олова к ~ 100 000). Считалось, что переходные металлы не могут дать такого отношения сопротивлений из-за значительного электрон-электронного взаимодействия при низких температурах. Для металлов с большой величиной отношения сопротивлений длина свободного пробега электрона больше радиуса ларморовской орбиты в постоянном магнитном поле, что позволяет исследовать динамику движения электронов и получить некоторые сведения о важнейшей характеристике носителей тока — поверхности Ферми. На одном монокристалле вольфрама (к = 13 000) совместно с Институтом физики металлов были проведены предварительные исследования гальваномагнитных явлений.
Измерялся эффект Холла (четная и нечетная составляющие), кроме этого измерялась анизотропия сопротивления в магнитном поле, которая уже исследовалась в работе Фосетта. На основании исследования анизотропии в магнитном поле Фосетт считает, что поверхность Ферми у вольфрама замкнутая и числа дырок и электронов равны. Однако сложный характер анизотропии эффекта Холла указывает на то, что это заключение является преждевременным. Не исключена вероятность наличия открытых, переходящих из одной ячейки обратной решетки в другую направлений на поверхности Ферми. Pависимость четного напряжения ри эффекта Холла р, а также сопротивления р от направления магнитного поля ф (магнитное поле поворачивалось в плоскости, нормальной к оси образца).
Ось образца составляет угол в 16° с кристаллографическим направлением (001).
